平松秀典 | WRHI – Tokyo Tech World Research Hub Initiative

略歴

2004年3月：東京工業大学大学院材料物理科学専攻博士課程修了（博士）
2004年10月～2010年3月：科学技術振興機構 ERATO-SORSTプロジェクト博士研究員
2010年4月～2011年2月：東京工業大学フロンティア研究機構特任准教授
2011年3月～2016年3月：東京工業大学応用セラミックス研究所准教授
2016年4月～2021年3月：（改組により）東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所准教授
2021年4月～：東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所教授

WRHIへの期待

世界的な超伝導研究を主軸とした共同研究の推進と活発な研究者・学生の人材交流

研究プロジェクト

東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所准教授
鉄系超伝導体薄膜を利用したジョセフソン接合を世界ではじめて実現（APL誌, 2010.01）
ワイドギャップp型半導体LaCuOSeの縮退伝導の起源を解明（JACS誌, 2010.06）
鉄系超伝導体FeSeの電界誘起超伝導発現に成功（PNAS誌, 2016.04）
新窒化物半導体CaZn2N2の存在を実験的に証明（Nat. Commun.誌, 2016.06）
世界最高感度の昇温脱離ガス分析装置を開発（Rev. Sci. Instrum.誌, 2017.05）
鉄系超伝導体10周年に将来応用に関する総説を発表（Mater. Today誌, 2018.04）

トピックス

Jun 2016

新窒化物半導体に関する論文がNature Communications誌に掲載され、日刊工業新聞など6誌で報道されました（大場研との共同研究）。
Apr 2016

FeSeの電界誘起超伝導に関する論文がProc. Natl. Acad. Sci. USA 誌に掲載され、日経産業新聞など3誌と2つのWebサイトで報道されました。

経歴
受賞歴
主な論文

2000–2010	科学技術振興機構研究員
2010–2011	東京工業大学フロンティア研究機構特任准教授
2011–2016	東京工業大学応用セラミックス研究所准教授
2016 –2021	東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所准教授
2021-	東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所教授

2003	応用物理学会講演奨励賞
2004	井上研究奨励賞
2009	応用物理学会論文賞（JJAP論文賞）
2012	超伝導科学技術賞東工大挑戦的研究賞（学長特別賞）
2013	文部科学大臣表彰若手科学者賞
2017	IOP Superconductor Science and Technology 2017 Fastest Reviewing Board Member Award

2008	“Superconductivity in Epitaxial Thin Films of Co-doped SrFe2As2 with Bilayered FeAs Structures and their Magnetic Anisotropy”H. Hiramatsu, T. Katase, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Appl. Phys. Express, vol. 1, pp. 101702-1 – 101702-3 (2008).Selected for the 31st JJAP Paper Award. DOI Link: https://doi.org/10.1143/APEX.1.101702
2010	“Josephson junction in cobalt-doped BaFe2As2 epitaxial thin films on (La, Sr)(Al, Ta)O3 bicrystal substrates” T. Katase, Y. Ishimaru, A. Tsukamoto,H. Hiramatsu, T. Kamiya, K. Tanabe, and H. Hosono,Appl. Phys. Lett., vol.96, pp. 142507-1 – 142507-3 (2010). DOI Link: https://doi.org/10.1063/1.3371814
2010	“Origins of Hole Doping and Relevant Optoelectronic Properties of Wide Gap p-Type Semiconductor, LaCuOSe”H. Hiramatsu, T. Kamiya, T. Tohei, E. Ikenaga, T. Mizoguchi, Y. Ikuhara, K. Kobayashi, and H. Hosono,J. Am. Chem. Soc., vol.132, pp. 15060 – 15067 (2010). DOI Link: https://doi.org/10.1021/ja107042r
2016	“Electric field-induced superconducting transition of insulating FeSe thin film at 35 K” K. Hanzawa, H. Sato,H. Hiramatsu, T. Kamiya, and H. Hosono,Proc. Natl. Acad. Sci. USA, vol.113, pp. 3986 – 3990 (2016). DOI Link: https://doi.org/10.1073/pnas.1520810113 “Discovery of earth-abundant nitride semiconductors by computational screening and high-pressure synthesis” Y. Hinuma, T. Hatakeyama, Y. Kumagai, L. A. Burton, H. Sato, Y. Muraba, S. Iimura,H. Hiramatsu, I. Tanaka, H. Hosono, and F. Oba,Nat. Commun., vol. 7, pp. 11962-1 – 11962-10 (2016). DOI Link: https://doi.org/10.1038/ncomms11962 “In-situ growth of superconducting SmO1-xFxFeAs thin films by pulsed laser deposition” Silvia Haindl, Kota Hanzawa, Hikaru Sato,Hidenori Hiramatsu, Hideo Hosono Scientific Reports 6, 35797 (2016). DOI: 10.1038/srep35797
2017	“Highly hydrogen-sensitive thermal desorption spectroscopy system for quantitative analysis of low-concentration hydrogen (~1 × 10¹⁶atoms/cm³) in thin-film samples” T. Hanna,H. Hiramatsu, I. Sakaguchi, and H. Hosono,Rev. Sci. Instrum., vol.88, pp. 053103-1 – 053103-13 (2017). DOI Link: https://doi.org/10.1063/1.4982255
2018	“Recent advances in iron-based superconductors toward applications” H. Hosono, A. Yamamoto,H. Hiramatsu, and Y. Ma,Mater. Today, vol.21, pp. 278 – 302 (2018).Invited Review, DOI Link: https://doi.org/10.1016/j.mattod.2017.09.006 “Pulsed laser deposition of SmFeAsO 1−δ on MgO(100) substrates” S. Haindl, H. Kinjo, K. Hanzawa,H. Hiramatsu, and H. Hosono,Appl. Surf. Sci.437, 418-428(2018). DOI:10.1016/j.apsusc.2017.08.061

Hidenori Hiramatsu 平松 秀典

略歴

WRHIへの期待

研究プロジェクト

東京工業大学 科学技術創成研究院 フロンティア材料研究所 准教授

鉄系超伝導体薄膜を利用したジョセフソン接合を世界ではじめて実現（APL誌, 2010.01）

ワイドギャップp型半導体LaCuOSeの縮退伝導の起源を解明（JACS誌, 2010.06）

鉄系超伝導体FeSeの電界誘起超伝導発現に成功（PNAS誌, 2016.04）

新窒化物半導体CaZn2N2の存在を実験的に証明（Nat. Commun.誌, 2016.06）

世界最高感度の昇温脱離ガス分析装置を開発（Rev. Sci. Instrum.誌, 2017.05）

鉄系超伝導体10周年に将来応用に関する総説を発表（Mater. Today誌, 2018.04）

トピックス

新窒化物半導体に関する論文がNature Communications誌に掲載され、日刊工業新聞など6誌で報道されました（大場研との共同研究）。

FeSeの電界誘起超伝導に関する論文がProc. Natl. Acad. Sci. USA 誌に掲載され、日経産業新聞など3誌と2つのWebサイトで報道されました。

Hidenori Hiramatsu 平松秀典

東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所准教授