社会実装研究
Tomoji Nakamura 中村 友二
特任教授
薄膜材料/半導体材料 プロセス デバイス/多層配線 LSI実装/LSI信頼性物理
研究プロジェクト
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薄膜材料とその界面構造を評価
化合物半導体ヘテロ接合界面、高融点金属薄膜/Si基板界面等の異種材料の接合界面構造を、各種評価・分析手法により評価し、デバイス特性を改善（1984～1993）
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高融点金属シリサイドプロセスを開発
0.35μm世代以降のCMOSロジック電極向けにTiシリサイド、Coシリサイドの界面固相反応と相変化を評価し、電気特性を改善(1993～1998)
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先端 LSIの多層配線材料・プロセス、高信頼化技術を開発
0.18μm世代Cuダマシン配線の歩留りと信頼性を向上。ダマシン配線用Cuの物性評価、ストレスマイグレーション対策、低誘電率（k=2.3）ポーラスLow-k材料とCu配線とのインテグレーション(1998～2006)
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先端実装用材料・プロセスを開発
種類の異なるLSIチップやアナログ・受動部品を擬似ウェハ化し配線接続する異種デバイス集積技術、薄化ウェハを積層する3次元LSI技術を開発（2007～2016）
| 1984 |
東京大学 工学博士 |
|---|---|
| 1984 - 1994 |
(株)富士通研究所 研究員 |
| 1994 - 1999 |
(株)富士通研究所 主任研究員 |
| 1999 - 2006 |
富士通研究所／富士通(株) 次世代LSI開発事業部 デバイス材料開発部長 |
| 2007 - 2013 |
(株)富士通研究所 基盤技術研究所長代理 |
| 2013 - 2016 |
(株)富士通研究所 基盤技術研究所 特任研究員 |
| 2016 - |
東京工業大学 科学技術創成研究院 特任教授 |
| 2014 |
応用物理学会 フェロー |
|---|---|
| 2015 |
日本表面科学会 功績賞 |
| 2009 |
中村友二, 鈴木貴志 (2009) LSI多層配線の信頼性, 応用物理, Vol. 78, 873-877 |
|---|---|
| 2013 |
中村友二(2013)表面改質技術－現状と今後の展開, 応用物理, Vol. 82, 376-384 |
| 2014 |
中村友二(2014）LSIの配線技術と表面科学, 表面科学, Vol. 35, 236-243 |
| 2015 |
Tadahiro Imada, Tomoji Nakamura et al. (2015), Systematic investigation of silylation materials for recovery use of low- k material plasma damage, Jpn. J. Appl. Phys., 54, 071502. |
| 2016 |
Aki Dote, Tomoji Nakamura et al.(2016), Analyzing and modeling methods for warpages of thin and large dies with redistribution layer, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 06JC03. |
| 2017 |
Y. Mizushima, T. Nakamura et al. (2017), Behavior of copper contamination on backside damage for ultra-thin silicon three dimensional stacking structure, Microelectron. Eng. 167 23. |